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RS1E280BNTB  与  BSC025N03MS G  区别

型号 RS1E280BNTB BSC025N03MS G
唯样编号 A33-RS1E280BNTB-0 A-BSC025N03MS G
制造商 ROHM Semiconductor Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 - 5.15mm
Rds On(Max)@Id,Vgs 2.3mΩ@28A,10V 6.7mΩ
上升时间 - 3ns
Qg-栅极电荷 - 27nC
栅极电压Vgs ±20V 20V
正向跨导 - 最小值 - 28S
封装/外壳 8-PowerTDFN -
连续漏极电流Id 28A(Ta) 40A
工作温度 -55°C~150°C -55°C~150°C
配置 - Single
长度 - 5.9mm
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V -
下降时间 - 2.4ns
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 1mA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 5100pF @ 15V -
高度 - 1.27mm
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 3W(Ta),30W(Tc) 35W
典型关闭延迟时间 - 18ns
FET类型 N-Channel N-Channel
通道数量 - 1Channel
系列 - OptiMOS3M
典型接通延迟时间 - 4.3ns
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 94nC @ 10V -
库存与单价
库存 2,200 0
工厂交货期 21 - 28天 56 - 70天
单价(含税)
30+ :  ¥6.3532
50+ :  ¥4.6571
100+ :  ¥4.0822
500+ :  ¥3.7084
1,000+ :  ¥3.6318
2,000+ :  ¥3.5743
暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
RS1E280BNTB ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

N-Channel 30V 28A(Ta) ±20V 3W(Ta),30W(Tc) 2.3mΩ@28A,10V -55°C~150°C 8-PowerTDFN

¥6.3532 

阶梯数 价格
30: ¥6.3532
50: ¥4.6571
100: ¥4.0822
500: ¥3.7084
1,000: ¥3.6318
2,000: ¥3.5743
2,200 当前型号
BSC025N03MSGATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

BSC025N03MS G_N 通道 8-PowerTDFN -55°C ~ 150°C(TJ)

暂无价格 0 对比
BSC025N03MS G Infineon  数据手册 功率MOSFET

BSC025N03MSGATMA1_30V 40A 6.7mΩ 20V 35W N-Channel -55°C~150°C

暂无价格 0 对比

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